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T. Kato, M. Hashimoto, and H. Matsuyama, "Angular Sensitivity of Neutron-Induced Single-Event Upsets in 12-nm FinFET SRAMs with Comparison to 20-nm Planar SRAMs," IEEE Transactions on Nuclear Science, 67(7), 1485 -- 1493, July 2020.
ID 547
分類 論文誌
タグ 12-nm 20-nm angular comparison finfet neutron-induced planar sensitivity single-event srams upsets
表題 (title) Angular Sensitivity of Neutron-Induced Single-Event Upsets in 12-nm FinFET SRAMs with Comparison to 20-nm Planar SRAMs
表題 (英文)
著者名 (author) T. Kato,M. Hashimoto,H. Matsuyama
英文著者名 (author) T. Kato,M. Hashimoto,H. Matsuyama
キー (key) T. Kato,M. Hashimoto,H. Matsuyama
定期刊行物名 (journal) IEEE Transactions on Nuclear Science
定期刊行物名 (英文)
巻数 (volume) 67
号数 (number) 7
ページ範囲 (pages) 1485 -- 1493
刊行月 (month) 7
出版年 (year) 2020
Impact Factor (JCR)
URL
付加情報 (note)
注釈 (annote)
内容梗概 (abstract)
論文電子ファイル pdf (application/pdf) [一般閲覧可]
BiBTeXエントリ
@article{id547,
         title = {Angular Sensitivity of Neutron-Induced Single-Event Upsets in {12-nm} {FinFET} {SRAMs} with Comparison to {20-nm} Planar {SRAMs}},
        author = {T. Kato and M. Hashimoto and H. Matsuyama},
       journal = {IEEE Transactions on Nuclear Science},
        volume = {67},
        number = {7},
         pages = {1485 -- 1493},
         month = {7},
          year = {2020},
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