Language: 英語 | 日本語 || ログイン |

1 件の該当がありました. : このページのURL : HTML

H. Fuketa, M. Hashimoto, Y. Mitsuyama, and T. Onoye, "Neutron-Induced Soft Errors and Multiple Cell Upsets in 65-nm 10T Subthreshold SRAM," IEEE Transactions on Nuclear Science, 58(4), pp. 2097--2102, August 2011.
ID 302
分類 論文誌
タグ 10t 65-nm cell errors multiple neutron-induced soft sram subthreshold upsets
表題 (title) Neutron-Induced Soft Errors and Multiple Cell Upsets in 65-nm 10T Subthreshold SRAM
表題 (英文)
著者名 (author) H. Fuketa,M. Hashimoto,Y. Mitsuyama,T. Onoye
英文著者名 (author) H. Fuketa,M. Hashimoto,Y. Mitsuyama,T. Onoye
キー (key) H. Fuketa,M. Hashimoto,Y. Mitsuyama,T. Onoye
定期刊行物名 (journal) IEEE Transactions on Nuclear Science
定期刊行物名 (英文)
巻数 (volume) 58
号数 (number) 4
ページ範囲 (pages) 2097--2102
刊行月 (month) 8
出版年 (year) 2011
Impact Factor (JCR)
URL
付加情報 (note)
注釈 (annote)
内容梗概 (abstract)
論文電子ファイル 159.pdf (application/pdf) [一般閲覧可]
BiBTeXエントリ
@article{id302,
         title = {Neutron-Induced Soft Errors and Multiple Cell Upsets in {65-nm} {10T} Subthreshold {SRAM}},
        author = {H. Fuketa and M. Hashimoto and Y. Mitsuyama and T. Onoye},
       journal = {IEEE Transactions on Nuclear Science},
        volume = {58},
        number = {4},
         pages = {2097--2102},
         month = {8},
          year = {2011},
}