Language: 英語 | 日本語 || ログイン |

1 件の該当がありました. : このページのURL : HTML

K. Takeuchi, T. Kato, and M. Hashimoto, "An SEU Cross Section Model Reproducing LET and Voltage Dependence in Bulk Planar and FinFET SRAMs," Proceedings of International Symposium on Reliability Physics (IRPS), April 2024.
ID 627
分類 国際会議
タグ bulk cross dependence finfet let model planar reproducing section seu srams voltage
表題 (title) An SEU Cross Section Model Reproducing LET and Voltage Dependence in Bulk Planar and FinFET SRAMs
表題 (英文)
著者名 (author) K. Takeuchi,T. Kato,M. Hashimoto
英文著者名 (author) ,T. Kato,M. Hashimoto
キー (key) ,T. Kato,M. Hashimoto
定期刊行物名 (journal) Proceedings of International Symposium on Reliability Physics (IRPS)
定期刊行物名 (英文)
巻数 (volume)
号数 (number)
ページ範囲 (pages)
刊行月 (month) 4
出版年 (year) 2024
Impact Factor (JCR)
URL
付加情報 (note)
注釈 (annote)
内容梗概 (abstract)
論文電子ファイル pdf (application/pdf) [一般閲覧可]
BiBTeXエントリ
@article{id627,
         title = {An {SEU} Cross Section Model Reproducing {LET} and Voltage Dependence in Bulk Planar and {FinFET} {SRAMs}},
        author = {K. Takeuchi and T. Kato and M. Hashimoto},
       journal = {Proceedings of International Symposium on Reliability Physics (IRPS)},
         month = {4},
          year = {2024},
}